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二次电子像的分辨力优于背散射像

二次电子主要是来自于距试样表面1~10nm之间深度的亚表面（试样表面0~1nm之间深度发出的电子主要为俄歇电子），二次电子能量在0~50eV之间，平均能量约30eV，所以这些二次电子能很好地显示出试样表面的微观形貌。由于入射电子仅经过几纳米的路径，还没有被多次反射和明显扩散，因此在入射电子照射的作用区内产生的二次电子区域与入射束的束斑直径差别不大，所以在同一台电镜中二次电子像的分辨能力。二次像的分辨力优于背散射像，背散射像的分辨力优于吸收电流像，吸收电流像的分辨力优于阴极荧光像。目前场发射和钨阴极电镜的二次电子像的分辨力都能分别优于1.0nm和3.0nm。一般情况下，扫描电镜的指标中所提及的图像分辨力，若没有特别说明，都是泛指二次电子像的分辨力。

二次电子的能量低,受局部电场的影响变化大

二次电子的能量低，受局部电场的影响变化大，如图a所示的颗粒在电子束的照射下因充了负电子而发白，在这发白的颗粒周围感应了正电荷，而感应了正电荷的区域导致二次电子的发射量减小，使颗粒周围明显变暗。由于二次电子像分辨力高、阴影效应不明显、景深深、立体感强，所以它是扫描电镜中主要的成像方式。它特别适用于观察和分析起伏较大的粗糙面，如金属、陶瓷和塑料等材料的断口，所以在材料学科中扫描电镜得到了广泛应用。

加速电压越低,电子束的波长越长,越不容易得到高分辨力的图像

加速电压越低，电子束的波长越长，越不容易得到高分辨力的图像，所以低加速电压仅适合于拍摄放大倍率不太高的图像，还有信噪也比较差，抗外部电磁场的干扰能力也较弱，对试样表层所受的污染会变得更敏感，所以不易得到高清晰和高分辨力的图像。

加速电压越高入射电子束的波长越短，也就越容易得到高分辨力的图像，还有抗外部电磁场的干扰能力也会增强，也不易受到试样表层污染斑的影响，所以高的加速电压比较适合拍摄高倍率的图像。